-低损耗设计&工艺 - 四路合成后损耗仅0.7dB(Psat=32.3dBm)
-E面剖分,公母同机(top/mid/bot成组同机加工)
-超精密加工,关键区域管控+/-0.003mm
-局部镀金,严格控制膜厚
-严格按芯片S2P参数做电路匹配设计和制造公差分析
-严格控制的共晶焊接+金丝键合工艺
超宽带发射组件
C波段小型化大功率TR组件
4合1功率放大器模组